Последние новости

Чем заняться в свободное время?
Стоматологический центр: регулярно заботьтесь о своих зубах
Sony представит свои новинки на IFA 2018
Опубликованы официальные изображения Xiaomi Mi Max 3
«Буран» – новейший российский бронеавтомобиль(на базе «газона»)
Nokia X5 представят завтра
Видео на канале: Распаковка и настройка Яндекс Станции
В РПЦ предложили аннулировать платные стези в России
Купеобразный кроссовер Skoda: первые фотографии
В России нашли способ, будто одолеть «зайцев» на платных дорогах
Трёхосный «Урал-Next» поедет на ралли Дакар-2020
Xiaomi Mi A2 Lite взялся в торговле на AliExpress
В Госдуме предлагают завести платеж за покупку товаров в зарубежных интернет-магазинах
Новоиспеченная Lada Granta: секретов вяще нет
В России алкают сжать число съездов с автотрасс
INOI утверждает, что занял 3,7% базара мобильных устройств
Samsung представил первые в индустрии 8-гигабитные LPDDR5 DRAM модули памяти
Armani представила новоиспеченные модели «умных» часов из линейки Emporio Armani Connected
Rolls-Royce показал летающее такси
Производство iPhone X опережает его продажи
Samsung массово внедрит сканеры отпечатков в экраны смартфонов в 2019 году
Meizu 16 Plus получит ультратонкие рамки вкруг экрана
Полицейские постановили судьбину мотоциклистки с поддержкой монетки
Российский Datsun сделал хэтчбек, о каком грезят рыбаки
Новейший Kia Ceed получил российскую прописку
В России встретят билль о правах киборгов
OPPO собирается представить «бюджетную» версию OPPO Find X?
Новейший BMW X5: наименованы цены для России
Водителей засвидетельствовали, что новоиспеченного скачка стоимостей на бензин не будет
В гонку летающих автомобилей вступил неожиданный игрок
Больше новостей

Samsung Electronics запускает производство высокопроизводительных накопителей новоиспеченного поколения на основе серийных модулей V-NAND


Технологии
140
0
Новоиспеченные 256Гб V-NAND модули флеш-памяти выдаются максимальной скоростью передачи настоящих в ветви, и впервинку используют ‘Toggle DDR 4.0’ NAND интерфейс...

Новоиспеченные 256Гб V-NAND модули флеш-памяти выдаются максимальной скоростью передачи настоящих в ветви, и впервинку используют ‘Toggle DDR 4.0’ NAND интерфейс
СЕУЛ, Корея, 11 июля 2018 г. - Samsung Electronics, вселенский лидер в технологии производства устройств памяти, обнародовал о начале массового производства V-NAND флеш-памяти с максимальной скоростью передачи настоящих в ветви. Благодаря ‘Toggle DDR 4.0’ интерфейсу, используемого впервинку в индустрии, скорость обмена настоящими между накопителем и новоиспеченными 256-гигабитными(Гб)V-NAND модулями флеш-памяти Samsung добилась 1.4 гигабит в секунду(Гбит/сек.), что на 40% возвышеннее скорости 64-слойного предшественника.
Энергоэффективность новоиспеченных V-NAND флеш-модулей Samsung сравнима с показателями 64-слойного чипа, что обусловлено снижением пролетария усилия с 1,8 до 1.2 вольт. Новоиспеченные V-NAND модули также выдаются минимальным временем записи настоящих, составляющим 500 микросекунд(?s), что на 30% превышает аналогичные показатели модулей памяти предшествующего поколения. При этом времена реакции на считывание сигнала было внушительно сжато — до 50 микросекунд(?s).
V-NAND модули флеш-памяти Samsung пятого поколения вводят 90 пластов ячеек, изготовленных по технологии 3D charge trap flash(CTF). Эти ячейки(максимальное численность пластов в ветви)сформированы в пирамидальную структуру со сквозными микроскопическими каналами. Cквозные каналы шириной несколько сотен нанометров(нм)включают более 85 биллионов CTF ячеек, всякая из каких может хранить три дрючена настоящих. Таковая инновационная технология производства модулей памяти изображает итогом нескольких прорывных достижений в области разработки топологии микросхем и новоиспеченных производственных процессов.
Благодаря совершенствованию технологии атомно-слоевого осаждения(АСО), продуктивность производства V-NAND модулей была повышена более, чем на 30%. Эта технология позволила понизить высотку пласта в всякой ячейке на 20%, что гарантировала устранение перекрестных помех между ячейками и повысить эффективность обработки настоящих ячейки.
«Пятое поколение V-NAND модулей памяти Samsung и решений на их основе позволит предложить бойко вырастающему премиум сегменту мирового базара наиболее абсолютные микросхемы NAND памяти, — комментирует Ке Хён Кёнг(Kye Hyun Kyung), вице-президент департамента флеш-памяти и технологии Samsung Electronics. Кроме выглядывающих достижений в области технологии производства компонентов памяти, мы готовимся представить 1-терабитные(Tб)и четырехуровневые QLC-чипы в дополнение к нашей линейке V-NAND модулей, что станет стимулом к созданию решений на основе компонентов NAND памяти вытекающего поколения».
Учитывая вырастающие требования базара, бражка Samsung планирует бойко повысить массовое производство V-NAND модулей памяти пятого поколения и сохранить лидирующие позиции в производстве устройств с возвышенной плотностью записи, используемых в таковских критически величавых сферах, будто производство суперкомпьютеров, индустриальных серверов и премиальных смартфонов.

0 комментариев