Последние новости

Бесплатная вакцинация против гриппа в Екатеринбурге - подробности
Лавров назвал пропагандой заявления о российском шпионе в Норвегии
Лавров обсудил со Столтенбергом отношения России и НАТО
Бюджеты муниципалитетов Кубани получат дополнительный миллиард рублей
Лавров обсудил с главой МИД Китая Корею и Иран
Лавров проводит встречу с главой МИД Швейцарии
На некоторых московских улицах в 2019 году изменится скоростной режим
Банк "Югра" признали банкротом
"Урал" вышел в 1/8 финала Кубка России, обыграв "Нефтехимик"
Футболисты "Вердера" обыграли "Герту" в матче чемпионата Германии
Лавров проводит встречу со Столтенбергом на полях Генассамблеи ООН
Новое рязанское фармпроизводство будет выпускать препараты для всей страны
Суд признал банк "Югра" банкротом
Нефть дорожает на фоне заявлений Трампа о новых санкциях против Ирана
Лавров на полях Генассамблеи ООН провел встречу с кубинским коллегой
Суд обязал заключенного вернуть деньги за содержание в тюрьме
Конфликт в КБР поддерживался в социальных сетях, заявил глава региона
В X5 прокомментировали ЧП в "Пятерочке": подросток сам зашел в холодильник
Nord Stream начал укладку труб "Северного потока - 2" в немецком мелководье
Трамп назвал цены на нефть завышенными
Трамп заявил, что ему не нравится деятельность ОПЕК
Трамп рассказал о борьбе с иранским нефтяным экспортом
США готовы к экспорту энергоресурсов, заявил Трамп
В России с 26 сентября разрешат поставки с "Витебского мясокомбината"
Сипягин не выгонял Орлову из региона, заявили в ЛДПР
Эксперт призвал не ждать прорыва в отношениях с США после речи Трампа в ООН
Лавров обсудил с президентом Хорватии ситуацию на Западных Балканах
Заседание межправкомиссии России и Израиля пройдет 8 октября
Собчак не исключила участия в выборах губернатора Санкт-Петербурга
Президент Молдавии планирует посетить Россию в конце октября
У главы Кубы есть приглашение в Россию, заявил Лавров
Больше новостей

Samsung Electronics запускает производство высокопроизводительных накопителей новоиспеченного поколения на основе серийных модулей V-NAND


Технологии
207
0
Новоиспеченные 256Гб V-NAND модули флеш-памяти выдаются максимальной скоростью передачи настоящих в ветви, и впервинку используют ‘Toggle DDR 4.0’ NAND интерфейс...

Новоиспеченные 256Гб V-NAND модули флеш-памяти выдаются максимальной скоростью передачи настоящих в ветви, и впервинку используют ‘Toggle DDR 4.0’ NAND интерфейс
СЕУЛ, Корея, 11 июля 2018 г. - Samsung Electronics, вселенский лидер в технологии производства устройств памяти, обнародовал о начале массового производства V-NAND флеш-памяти с максимальной скоростью передачи настоящих в ветви. Благодаря ‘Toggle DDR 4.0’ интерфейсу, используемого впервинку в индустрии, скорость обмена настоящими между накопителем и новоиспеченными 256-гигабитными(Гб)V-NAND модулями флеш-памяти Samsung добилась 1.4 гигабит в секунду(Гбит/сек.), что на 40% возвышеннее скорости 64-слойного предшественника.
Энергоэффективность новоиспеченных V-NAND флеш-модулей Samsung сравнима с показателями 64-слойного чипа, что обусловлено снижением пролетария усилия с 1,8 до 1.2 вольт. Новоиспеченные V-NAND модули также выдаются минимальным временем записи настоящих, составляющим 500 микросекунд(?s), что на 30% превышает аналогичные показатели модулей памяти предшествующего поколения. При этом времена реакции на считывание сигнала было внушительно сжато — до 50 микросекунд(?s).
V-NAND модули флеш-памяти Samsung пятого поколения вводят 90 пластов ячеек, изготовленных по технологии 3D charge trap flash(CTF). Эти ячейки(максимальное численность пластов в ветви)сформированы в пирамидальную структуру со сквозными микроскопическими каналами. Cквозные каналы шириной несколько сотен нанометров(нм)включают более 85 биллионов CTF ячеек, всякая из каких может хранить три дрючена настоящих. Таковая инновационная технология производства модулей памяти изображает итогом нескольких прорывных достижений в области разработки топологии микросхем и новоиспеченных производственных процессов.
Благодаря совершенствованию технологии атомно-слоевого осаждения(АСО), продуктивность производства V-NAND модулей была повышена более, чем на 30%. Эта технология позволила понизить высотку пласта в всякой ячейке на 20%, что гарантировала устранение перекрестных помех между ячейками и повысить эффективность обработки настоящих ячейки.
«Пятое поколение V-NAND модулей памяти Samsung и решений на их основе позволит предложить бойко вырастающему премиум сегменту мирового базара наиболее абсолютные микросхемы NAND памяти, — комментирует Ке Хён Кёнг(Kye Hyun Kyung), вице-президент департамента флеш-памяти и технологии Samsung Electronics. Кроме выглядывающих достижений в области технологии производства компонентов памяти, мы готовимся представить 1-терабитные(Tб)и четырехуровневые QLC-чипы в дополнение к нашей линейке V-NAND модулей, что станет стимулом к созданию решений на основе компонентов NAND памяти вытекающего поколения».
Учитывая вырастающие требования базара, бражка Samsung планирует бойко повысить массовое производство V-NAND модулей памяти пятого поколения и сохранить лидирующие позиции в производстве устройств с возвышенной плотностью записи, используемых в таковских критически величавых сферах, будто производство суперкомпьютеров, индустриальных серверов и премиальных смартфонов.

0 комментариев