Последние новости

Сотрудники Роспотребнадзора произвели изъятие нескольких тонн хлеба с начала 2018 года
В Симферополе похоронили бортпроводницу разбившегося в Подмосковье Ан-148
В тюменском селе, где останавливался Николай II, установят памятный знак
Пилотов разбившегося в Подмосковье Ан-148 похоронят в выходные
Мать двоих детей по решению главы Камчатки получит отдельную квартиру
"Аэрофлот" запретит сотрудникам пользоваться гаджетами в офисе
Путин осмотрел новое предприятие ведущего производителя инсулинов в России
Жители Оренбуржья попрощались с жертвами крушения Ан-148
Путин отметил необходимость обеспечения граждан лекарствами в полном объеме
Путин раскритиковал систему льготного обеспечения лекарствами в России
Путин призвал поднять уровень системы обеспечения лекарствами в России
Россия предлагает Белоруссии компенсировать налоговый маневр, заявил Бабич
Рязанская область планирует сотрудничать с американским штатом Юта
Путин отметил развитие российской фармацевтической отрасли
Хектор избежал серьезной травмы в матче с командой России
Правительство купит бронетехнику у Дерипаски на 2 млрд рублей
Как выглядит "самое португальское селение в Португалии" (фото)
Слуцкий предложил миссии ООН помощь с организацией поездки в Крым
В Совфеде отреагировали на принятие резолюции ООН по Крыму
Ионов: сборная России готовится поехать в Швецию и победить
Дагестанского футболиста подозревают в убийстве таксиста и угоне автомобиля
Витсель: решение перейти в "Боруссию" - лучшее в моей спортивной карьере
Юношеская сборная России победила команду Кипра в отборе на Евро-2019
Проректор Института им. Пушкина назвал "шпиль" словом года
В Великобритании сделали портрет суфражистки из тысячи фото
Ученые утверждают, что нашли следы Атлантиды
Радующаяся первому снегу панда умилила соцсети (фото, видео)
Биржевые цены резко выросли из-за отсутствия топлива "Роснефти"
В Кремле назвали ситуацию с "красивой жизнью" Цеповяза в колонии вопиющей
Подросткам, убившим женщину в Псебае, предъявили обвинение
В Нижнем Новгороде задержали напавшего на врачей скорой помощи
Больше новостей

Samsung Electronics запускает производство высокопроизводительных накопителей новоиспеченного поколения на основе серийных модулей V-NAND


Технологии
233
0
Новоиспеченные 256Гб V-NAND модули флеш-памяти выдаются максимальной скоростью передачи настоящих в ветви, и впервинку используют ‘Toggle DDR 4.0’ NAND интерфейс...

Новоиспеченные 256Гб V-NAND модули флеш-памяти выдаются максимальной скоростью передачи настоящих в ветви, и впервинку используют ‘Toggle DDR 4.0’ NAND интерфейс
СЕУЛ, Корея, 11 июля 2018 г. - Samsung Electronics, вселенский лидер в технологии производства устройств памяти, обнародовал о начале массового производства V-NAND флеш-памяти с максимальной скоростью передачи настоящих в ветви. Благодаря ‘Toggle DDR 4.0’ интерфейсу, используемого впервинку в индустрии, скорость обмена настоящими между накопителем и новоиспеченными 256-гигабитными(Гб)V-NAND модулями флеш-памяти Samsung добилась 1.4 гигабит в секунду(Гбит/сек.), что на 40% возвышеннее скорости 64-слойного предшественника.
Энергоэффективность новоиспеченных V-NAND флеш-модулей Samsung сравнима с показателями 64-слойного чипа, что обусловлено снижением пролетария усилия с 1,8 до 1.2 вольт. Новоиспеченные V-NAND модули также выдаются минимальным временем записи настоящих, составляющим 500 микросекунд(?s), что на 30% превышает аналогичные показатели модулей памяти предшествующего поколения. При этом времена реакции на считывание сигнала было внушительно сжато — до 50 микросекунд(?s).
V-NAND модули флеш-памяти Samsung пятого поколения вводят 90 пластов ячеек, изготовленных по технологии 3D charge trap flash(CTF). Эти ячейки(максимальное численность пластов в ветви)сформированы в пирамидальную структуру со сквозными микроскопическими каналами. Cквозные каналы шириной несколько сотен нанометров(нм)включают более 85 биллионов CTF ячеек, всякая из каких может хранить три дрючена настоящих. Таковая инновационная технология производства модулей памяти изображает итогом нескольких прорывных достижений в области разработки топологии микросхем и новоиспеченных производственных процессов.
Благодаря совершенствованию технологии атомно-слоевого осаждения(АСО), продуктивность производства V-NAND модулей была повышена более, чем на 30%. Эта технология позволила понизить высотку пласта в всякой ячейке на 20%, что гарантировала устранение перекрестных помех между ячейками и повысить эффективность обработки настоящих ячейки.
«Пятое поколение V-NAND модулей памяти Samsung и решений на их основе позволит предложить бойко вырастающему премиум сегменту мирового базара наиболее абсолютные микросхемы NAND памяти, — комментирует Ке Хён Кёнг(Kye Hyun Kyung), вице-президент департамента флеш-памяти и технологии Samsung Electronics. Кроме выглядывающих достижений в области технологии производства компонентов памяти, мы готовимся представить 1-терабитные(Tб)и четырехуровневые QLC-чипы в дополнение к нашей линейке V-NAND модулей, что станет стимулом к созданию решений на основе компонентов NAND памяти вытекающего поколения».
Учитывая вырастающие требования базара, бражка Samsung планирует бойко повысить массовое производство V-NAND модулей памяти пятого поколения и сохранить лидирующие позиции в производстве устройств с возвышенной плотностью записи, используемых в таковских критически величавых сферах, будто производство суперкомпьютеров, индустриальных серверов и премиальных смартфонов.

0 комментариев