Последние новости

Губернатор Челябинской области рассказал о планах расселения жильцов магнитогорского дома
Как выглядят самые маленькие страны мира
США разработает тактику применения больших подводных роботов
Белорусские футболисты перестанут считаться легионерами в России
Опубликовано видео испытаний новейшего танка Т-90М
Фотограф показал красоту Земли с воздуха
Американец устроил стрельбу после известия об увольнении
Демократы начали расследование из-за объявленного Трампом ЧП
Деньги улетают в трубу: что не так с нацпроектами
Путин проинформирован о деле основателя Baring Vostok
Страны ЕС увеличат финансирование оборонных исследований
Британская разведка заявила о готовности жестко ответить ГРУ
Россияне смогут увидеть сближение Венеры и Сатурна
Красноярск озеленили срубленными елками
Таможня предложила расширить продуктовое эмбарго
Орешкин рассказал, почему его не любят в правительстве
Астрономы нашли недостающую треть Вселенной
Трамп объявил, что введет режим чрезвычайного положения в США
Sony готовит новую модель начального уровня
Видео на канале: ОБЗОР ФЛАГМАНА | BQ Aurora 6200L
Сбербанк предупредил о новом виде банковского мошенничества
Нелепый «живой щит», возврат «+10 км/ч» и другие события недели
Российский футболист перешел в украинский клуб впервые за 5 лет
Житель Ярославля спас соседнюю многоэтажку от взрыва газа
Oppo R19 в нынешнем году не выйдет
Исследователи обнаружили в британской пещере "ворота в ад"
Качественные рендеры Vivo V15 Pro попали в Сеть
Художник делает фигуры людей в виде деревьев (фото)
В Мехико показали щит последнего императора ацтеков (видео)
Легкая физическая активность предупреждает депрессию. Вот настоящие доказательства
Просмотр порно мужчинами стимулирует нарушения пищевого поведения у женщин
Больше новостей

Samsung Electronics запускает производство высокопроизводительных накопителей новоиспеченного поколения на основе серийных модулей V-NAND


Технологии
280
0
Новоиспеченные 256Гб V-NAND модули флеш-памяти выдаются максимальной скоростью передачи настоящих в ветви, и впервинку используют ‘Toggle DDR 4.0’ NAND интерфейс...

Новоиспеченные 256Гб V-NAND модули флеш-памяти выдаются максимальной скоростью передачи настоящих в ветви, и впервинку используют ‘Toggle DDR 4.0’ NAND интерфейс
СЕУЛ, Корея, 11 июля 2018 г. - Samsung Electronics, вселенский лидер в технологии производства устройств памяти, обнародовал о начале массового производства V-NAND флеш-памяти с максимальной скоростью передачи настоящих в ветви. Благодаря ‘Toggle DDR 4.0’ интерфейсу, используемого впервинку в индустрии, скорость обмена настоящими между накопителем и новоиспеченными 256-гигабитными(Гб)V-NAND модулями флеш-памяти Samsung добилась 1.4 гигабит в секунду(Гбит/сек.), что на 40% возвышеннее скорости 64-слойного предшественника.
Энергоэффективность новоиспеченных V-NAND флеш-модулей Samsung сравнима с показателями 64-слойного чипа, что обусловлено снижением пролетария усилия с 1,8 до 1.2 вольт. Новоиспеченные V-NAND модули также выдаются минимальным временем записи настоящих, составляющим 500 микросекунд(?s), что на 30% превышает аналогичные показатели модулей памяти предшествующего поколения. При этом времена реакции на считывание сигнала было внушительно сжато — до 50 микросекунд(?s).
V-NAND модули флеш-памяти Samsung пятого поколения вводят 90 пластов ячеек, изготовленных по технологии 3D charge trap flash(CTF). Эти ячейки(максимальное численность пластов в ветви)сформированы в пирамидальную структуру со сквозными микроскопическими каналами. Cквозные каналы шириной несколько сотен нанометров(нм)включают более 85 биллионов CTF ячеек, всякая из каких может хранить три дрючена настоящих. Таковая инновационная технология производства модулей памяти изображает итогом нескольких прорывных достижений в области разработки топологии микросхем и новоиспеченных производственных процессов.
Благодаря совершенствованию технологии атомно-слоевого осаждения(АСО), продуктивность производства V-NAND модулей была повышена более, чем на 30%. Эта технология позволила понизить высотку пласта в всякой ячейке на 20%, что гарантировала устранение перекрестных помех между ячейками и повысить эффективность обработки настоящих ячейки.
«Пятое поколение V-NAND модулей памяти Samsung и решений на их основе позволит предложить бойко вырастающему премиум сегменту мирового базара наиболее абсолютные микросхемы NAND памяти, — комментирует Ке Хён Кёнг(Kye Hyun Kyung), вице-президент департамента флеш-памяти и технологии Samsung Electronics. Кроме выглядывающих достижений в области технологии производства компонентов памяти, мы готовимся представить 1-терабитные(Tб)и четырехуровневые QLC-чипы в дополнение к нашей линейке V-NAND модулей, что станет стимулом к созданию решений на основе компонентов NAND памяти вытекающего поколения».
Учитывая вырастающие требования базара, бражка Samsung планирует бойко повысить массовое производство V-NAND модулей памяти пятого поколения и сохранить лидирующие позиции в производстве устройств с возвышенной плотностью записи, используемых в таковских критически величавых сферах, будто производство суперкомпьютеров, индустриальных серверов и премиальных смартфонов.

0 комментариев